廣州潽拓光電科技有限公司--ULVAC愛發(fā)科分子泵維修；
ARPES光束線客戶案例:某光源ARPES光束線真空系統(tǒng),真空系統(tǒng)是同步輻射光束線的重要組成部分,只有在真空環(huán)境中運(yùn)行,光學(xué)元件才能夠?qū)⑼捷椛涔鈧鬏數(shù)皆囼?yàn)站,真空系統(tǒng)的作用就是獲得并維持合理的真空度,保證光束線的穩(wěn)定運(yùn)行.此系統(tǒng)搭配愛發(fā)科分子泵80,及配套真空規(guī).
真空系統(tǒng)要求(分子泵):
1.靜態(tài)真空(無(wú)束流):5x10-8Pa,動(dòng)態(tài)真空(有束流):
2.真空系統(tǒng)基本配置:離子泵+無(wú)油分子泵+冷陰極真空規(guī)管+氣體分析儀超高真空系統(tǒng)配置:
渦輪分子泵
接口:DN100CF-F
極限真空:氮?dú)鈮嚎s比:>1X1011渦輪分子泵80
接口:DN63CF-F
極限真空:氮?dú)鈮嚎s比:>1X1011殘余氣體分析儀PrismaPro
質(zhì)量數(shù):1-300amu
四極桿直徑／長(zhǎng)度:6/125mm
很大工作壓力FhPa:5X10-4
渦輪分子泵抽速范圍10至2700L/S,轉(zhuǎn)速很高90,000rpm,極限真空很大1E-11mbar,對(duì)小分子氣體具有更高的壓縮比,實(shí)踐證明渦輪分子泵運(yùn)行時(shí)間可以達(dá)到100,000小時(shí)!分子泵提供復(fù)合軸承分子泵和五軸全磁浮分子泵二大系列滿足不同應(yīng)用,推薦搭配旋片泵和干泵共同使用.更多分子泵典型應(yīng)用>>
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為了確認(rèn)磁場(chǎng)對(duì)分子泵工作的影響，德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院（）設(shè)計(jì)并執(zhí)行了下面的測(cè)試：測(cè)試條件和裝置被測(cè)分子泵的型號(hào)為TwisTorr304FSCFF6，使用一對(duì)亥姆霍茲線圈(直徑120厘米)來(lái)產(chǎn)生包圍整個(gè)泵的均勻磁場(chǎng)。使用20℃的冷卻水對(duì)分子泵持續(xù)進(jìn)行冷卻；分子泵的控制器會(huì)自動(dòng)調(diào)整電機(jī)電流，保持轉(zhuǎn)子以恒定轉(zhuǎn)速運(yùn)行。
使用安裝于分子泵口的紅外溫度計(jì)測(cè)量被測(cè)試分子泵的轉(zhuǎn)子溫度。使用連接到分子泵外殼的PT100熱電阻測(cè)量定子的溫度。測(cè)試過(guò)程試驗(yàn)期間，渦輪泵以滿轉(zhuǎn)速持續(xù)運(yùn)行。初始的磁場(chǎng)設(shè)置為1mT，泵在該磁場(chǎng)下運(yùn)行12個(gè)小時(shí)以穩(wěn)定轉(zhuǎn)子溫度；然后關(guān)閉磁場(chǎng)，再運(yùn)行12個(gè)小時(shí)以使轉(zhuǎn)子降溫；然后再分別把磁場(chǎng)設(shè)置為2mT，按照前面的步驟繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試，直至磁場(chǎng)增加到7mT。
當(dāng)磁場(chǎng)逐步增加后，被測(cè)分子泵轉(zhuǎn)子的平衡溫度也隨之上升，當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度為7mT時(shí)，平衡溫度上升到100攝氏度左右（分子泵的很大允許溫度為120度）。
另外，使用該測(cè)試平臺(tái)測(cè)試了另一臺(tái)其它品牌的分子泵，一系列的對(duì)比測(cè)試表明，分子泵在相同的磁場(chǎng)條件下轉(zhuǎn)子的平衡溫度明顯較低（5mT時(shí)，低大約40度）。
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通用的沉積技術(shù)有化學(xué)氣相淀積（CVD）、蒸發(fā)和濺射PVD。一般來(lái)說(shuō)，其中還要夾雜低溫（≤500℃）退火工藝等熱處理工藝，用以增進(jìn)金屬層和半導(dǎo)體之間的低電阻接觸、消除內(nèi)應(yīng)力等。設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中需要高潔凈的真空環(huán)境，一般采用以磁懸浮分子泵為主的無(wú)油真空系統(tǒng)。
刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程?？涛g的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地掩膜圖形?，F(xiàn)代化的干法刻蝕設(shè)備包括復(fù)雜的機(jī)械、電氣和真空系統(tǒng)，同時(shí)配有自動(dòng)化的刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)和控制裝置。刻蝕應(yīng)用工況復(fù)雜，清潔性差，充入特種氣體種類繁多，因此需要特殊處理的干泵和磁懸浮分子泵。
離子注入設(shè)備：離子注入是指在真空環(huán)境下，當(dāng)離子束射向固體材料時(shí)，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并很終停留在固體材料中的現(xiàn)象。離子注入是半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的主要技術(shù)，其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型。離子注入機(jī)是集成電路制造工序中的關(guān)鍵設(shè)備，需要高清潔的真空環(huán)境，以保證離子摻雜濃度和劑量的準(zhǔn)確性。
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